標準編號：GB/T 1551-2009硅單晶電阻率測定方法
標準狀態：現行
標準簡介：本方法規定了用直排四探針法測量硅單晶電阻率的方法。本方法適用于測量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點的最近距離二者均大于探針間距的4倍的硅單晶體電阻率以及測量直徑大于探針間距10倍、厚度小于探針間距4倍的硅單晶圓片的電阻率。
英文名稱： Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon
替代情況： 替代GB/T 1551-1995;GB/T 1552-1995
中標分類： 冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
ICS分類： 電氣工程>>29.045半導體材料
采標情況： MOD SEMI MF 84-1105;SEMI MF 397-1106
發布部門： 中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
發布日期： 2009-10-30
實施日期： 2010-06-01
首發日期： 1979-05-26
提出單位： 全國半導體設備和材料標準化技術委員會
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