標準編號：GB/T 4058-2009硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法
標準狀態：現行
標準簡介：本標準規定了硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法。本標準適用于硅拋光片表面區在模擬器件氧化工藝中誘生或增強的晶體缺陷的檢測。硅單晶氧化誘生缺陷的檢驗也可參照此方法。
英文名稱： Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers
替代情況： 替代GB/T 4058-1995
中標分類： 冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
ICS分類： 電氣工程>>29.045半導體材料
發布部門： 中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
發布日期： 2009-10-30
實施日期： 2010-06-01
首發日期： 1983-12-20
提出單位： 全國半導體設備和材料標準化技術委員會
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