標準編號：GB/T 6616-2009半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法
標準狀態：現行
標準簡介：本標準規定了用非接觸渦流測定半導體硅片電阻率和薄膜薄層電阻的方法。本標準適用于測量直徑或邊長大于25mm、厚度為0.1mm~1mm 的硅單晶切割片、研磨片和拋光片的電阻率及硅薄膜的薄層電阻。測量薄膜薄層電阻時,襯底的有效薄層電阻至少應為薄膜薄層電阻的1000倍。
英文名稱： Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge
替代情況： 替代GB/T 6616-1995
中標分類： 冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
ICS分類： 電氣工程>>29.045半導體材料
采標情況： SEMI MF673-1105 MOD
發布部門： 中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
發布日期： 2009-10-30
實施日期： 2010-06-01
首發日期： 1986-07-26
提出單位： 全國半導體設備和材料標準化技術委員會
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