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GB/T 6619-2009硅片彎曲度測試方法
GB/T 6619-2009硅片彎曲度測試方法，本標準規定了硅單晶切割片、研磨片、拋光片(以下簡稱硅片)彎曲度的接觸式測量方法，本標準適用于測量直徑不小于25mm,厚度為不小于180μm,直徑和厚度比值不大于250的圓形硅片的彎曲度，本測試方法的目的是用于來料驗收和過程控制，本標準也適用于測量其他半導體圓片彎曲度。
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GB/T 6618-2009硅片厚度和總厚度變化測試方法
GB/T 6618-2009硅片厚度和總厚度變化測試方法，本標準規定了硅單晶切割片、研磨片、拋光片和外延片(簡稱硅片)厚度和總厚度變化的分立式和掃描式測量方法。本標準適用于符合GB/T12964、GB/T12965、GB/T14139規定的尺寸的硅片的厚度和總厚度變化的測量。在測試儀器允許的情況下,本標準也可用于其他規格硅片的厚度和總厚度變化的測量。
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GB/T 6617-2009硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
GB/T 6617-2009硅片電阻率測定 擴展電阻探針法，本標準規定了硅片電阻率的擴展電阻探針測量方法。本標準適用于測量晶體晶向與導電類型已知的硅片的電阻率和測量襯底同型或反型的硅片外延層的電阻率,測量范圍:10-3 Ω·cm~102 Ω·cm。
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GB/T 6616-2009半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法
GB/T 6616-2009半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法，本標準規定了用非接觸渦流測定半導體硅片電阻率和薄膜薄層電阻的方法。本標準適用于測量直徑或邊長大于25mm、厚度為0.1mm~1mm 的硅單晶切割片、研磨片和拋光片的電阻率及硅薄膜的薄層電阻。測量薄膜薄層電阻時,襯底的有效薄層電阻至少應為薄膜薄層電阻的1000倍。
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GB/T 6412-2009家庭用煤及爐具試驗方法
GB/T 6412-2009家庭用煤及爐具試驗方法，本標準規定了家庭用煤及以煤為燃料的家庭爐具性能評定過程中所用到的術語和定義、符號，性能評價的試驗原理及測試指標、試驗條件、試驗程序及試驗結果的計算和評定方法。本標準適用于測定家庭用煤及以煤為燃料的家庭爐具(以下簡稱爐具)的性能指標。
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GB/T 6150.9-2009鎢精礦化學分析方法 銅量的測定
GB/T 6150.9-2009鎢精礦化學分析方法 銅量的測定 火焰原子吸收光譜法，本部分規定了鎢精礦中銅含量的測定方法。本部分適用于鎢精礦中銅含量的測定。
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GB/T 6150.3-2009鎢精礦化學分析方法 磷量的測定 磷鉬黃分光光度法，本部分規定了鎢精礦中磷量的測定方法。本部分適用于鎢精礦中磷量的測定。
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